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會員年限:2年
產品型號:FDC642P
封裝形式:SOT23-6
批次:21+制造應用:通用
系列: PowerTrench®
FET 類型: P 通道
漏源電壓(Vdss): 20 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id): 4A(Ta)
驅動電壓(MAX Rds On,MIN Rds On): 2.5V,4.5V
FDC642P不同 Id、Vgs 時導通電阻(MAX值): 65 毫歐 @ 4A,4.5V
FDC642P不同 Id 時 Vgs(th)(MAX值): 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(MAX值): 16 nC @ 4.5 V
Vgs(MAX值): ±8V 功率耗散(MAX值): 1.6W(Ta)
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(MAX值): 925 pF @ 10 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
高度: 1.1 mm 長度: 2.9 mm 系列: FDC642P 晶體管類型: 1 P-Channel 寬度: 1.6 mm
正向跨導 - MIN值: 9 S 下降時間: 7 ns 上升時間: 7 ns
典型關閉延遲時間: 120 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
零件號別名: FDC642P_NL 單位重量: 30 mg
用途:家用 應用領域:家用電器 子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel 類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 1.6 mm 單位重量: 36 mg
晶體管類型: 1 P-Channel 類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 1.6 mm 單位重量: 36 mg晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET 典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 6 ns
類型: MOSFET 典型關閉延遲時間: 120 ns 典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 1.6 mm 單位重量: 36 mg 晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm 單位重量: 36 mg 晶體管類型: 1 P-Channel